BLV32F

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Advanced Semiconductor, Inc.

Өнім санаты:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

Биполярлық қуат

Технология:

Си

Транзистордың полярлығы:

NPN

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

20

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

32 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

4 V

Үздіксіз коллекторлық ток:

4 A

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Орнату стилі:

Бұрандалы бекіту

Пакет/қорап:

316-01

Қаптама:

Науа

Жұмыс жиілігі:

224 MHz

Түрі:

РЖ биполярлық қуаты

Бренд:

Advanced Semiconductor, Inc.

Pd - қуаттың шығыны:

82 W

Өнім түрі:

Радиожиілік биполярлы транзисторлар

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

BLV3, BLV