IXTH3N120

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1.2 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

39 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

150 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

21.46 mm

Ұзындығы:

16.26 mm

Серия:

IXTH3N120

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Жоғары вольтты қуат MOSFET

Ені:

5.3 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.5 S

Күз уақыты:

18 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

32 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

17 ns

Бірлік салмағы:

0.229281 oz

Tags

IXTH3N1, IXTH3N, IXTH3, IXTH, IXT