IXTB30N100L

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

30 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

450 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

545 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

800 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

26.59 mm

Ұзындығы:

20.29 mm

Серия:

IXTB30N100

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Сызықтық қуат MOSFET

Ені:

5.31 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

6 S

Күз уақыты:

78 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

70 ns

Зауыттық буманың саны:

25

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

100 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

36 ns

Бірлік салмағы:

1.340411 oz

Tags

IXT