IXTN32P60P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Шасси бекіткіші

Пакет/қорап:

SOT-227-4

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

32 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

350 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Qg - қақпа заряды:

196 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

890 W

Қаптама:

Түтік

Өнім:

MOSFET қуаты

Серия:

IXTN32P60

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

32 S / 21 S

Күз уақыты:

33 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

27 ns

Зауыттық буманың саны:

10

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

95 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

37 ns

Бірлік салмағы:

1.058219 oz

Tags

IXTN3, IXTN, IXT