ZVNL110GTA

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-223-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

600 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

750 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.65 mm

Ұзындығы:

6.7 mm

Серия:

ZVNL110

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

FET

Ені:

3.7 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

225 mS

Күз уақыты:

2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2 ns

Бірлік салмағы:

0.003951 oz

Tags

ZVNL110GT, ZVNL110G, ZVNL11, ZVNL1, ZVNL, ZVN