STD1HN60K3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6.7 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.75 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

9.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

27 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

SuperMESH

Қаптама:

Ролик

Серия:

STD1HN60K3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

31 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

23 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

STD1H, STD1, STD