IXTA32P20T

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

32 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

130 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

15 V

Qg - қақпа заряды:

180 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Серия:

IXTA32P20

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

18 S

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

57 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

32 ns

Бірлік салмағы:

0.081130 oz

Tags

IXTA32P2, IXTA32P, IXTA32, IXTA3, IXTA, IXT