SSM3J338R,LF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23F-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

45.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

300 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

1.8 V

Qg - қақпа заряды:

19.5 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Серия:

SSM3J338

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1.3 mm

Бренд:

Toshiba

Форвард өткізгіштік - Мин:

17 S

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

383 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

65 ns

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

SSM3J338, SSM3J33, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM