ZXMC10A816N8TC

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.1 A, 2.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

230 mOhms, 235 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.7 V, 2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

9.2 nC, 16.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.8 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.5 mm

Ұзындығы:

4.95 mm

Серия:

ZXMC10A8

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ені:

3.95 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

4.8 S, 4.7 S

Күз уақыты:

5 ns, 12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2.1 ns, 5.2 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

12.1 ns, 20 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.9 ns, 4.3 ns

Бірлік салмағы:

0.002610 oz

Tags

ZXMC10A816N, ZXMC1, ZXMC, ZXM