TPN1R603PL,L1Q

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSON-Advance-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

188 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

41 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

104 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.85 mm

Ұзындығы:

3.1 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.1 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5.3 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

42 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бірлік салмағы:

0.000705 oz

Tags

TPN1R603P, TPN1R, TPN1, TPN