2SD2012

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

Y

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220F-3

Транзистордың полярлығы:

NPN

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

60 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

60 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

7 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

0.4 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

3 A

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

3 MHz

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Серия:

2SD2012

Тұрақты ток күші hFE макс:

320

Биіктігі:

9.39 mm (Max)

Ұзындығы:

10.36 mm (Max)

Қаптама:

Түтік

Ені:

4.9 mm (Max)

Бренд:

STMicroelectronics

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

20

Pd - қуаттың шығыны:

25 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

Транзисторлар

Бірлік салмағы:

0.127339 oz

Tags

2SD2012, 2SD201, 2SD20, 2SD2, 2SD