OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

IXFJ20N85X

IXFJ20N85X
Mfr. #:
IXFJ20N85X
Өндіруші:
Littelfuse
Сипаттама:
MOSFET DISCMSFT NCH ULTRJNCTN XCLASS
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IXFJ20N85X Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFJ20N85X DatasheetIXFJ20N85X Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
IXFJ20N85X Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
IXYS
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
Тесік арқылы
Пакет/қорап:
TO-247-3
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
850 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
9.5 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
360 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
3.5 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
30 V
Qg - қақпа заряды:
63 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
110 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
HiPerFET
Қаптама:
Түтік
Серия:
X-сынып
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Бренд:
IXYS
Форвард өткізгіштік - Мин:
6 S
Күз уақыты:
20 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
28 ns
Зауыттық буманың саны:
30
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
44 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
20 ns
Бірлік салмағы:
0.176370 oz
Tags
IXFJ, IXF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247
X-Class 850V - 1000V Power MOSFETs with HiPerFET™
IXYS X-Class 850V-1000V Power MOSFETs with HiPerFET™ with fast body diodes are rugged devices that display the lowest on-state resistances in the industry. This enables a very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these devices exhibit low gate charges and superior dv/dt performance. In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, these ultra-junction MOSFETs help reduce switching losses and Electromagnetic Interference (EMI).
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Ultra Junction MOSFETs
IXYS Ultra Junction MOSFETs feature low RDS(on) and low Qg in low inductance industry standard packages. These devices enable high power density, easy mounting, and space-saving opportunities. The ultra junction MOSFETs are ideal solutions in SMPS, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, and robotics/servo controls.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IXFJ20N85X
DISTI # IXFJ20N85X-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 850V 9.5A TO247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$7.6467
IXFJ20N85X
DISTI # 747-IXFJ20N85X		IXYS CorporationMOSFET 850V/9.5A Ultra Junction X-Class HiPerFETPower MOSFET, ISO TO-247
RoHS: Compliant		20
  • 1:$10.7200
  • 10:$9.6500
  • 25:$8.0300
  • 50:$7.4600
  • 100:$7.2900
  • 250:$6.6600
  • 500:$6.0700
  • 1000:$5.7900
Сурет Бөлім № Сипаттама
IXFH10N80P

Mfr.#: IXFH10N80P

OMO.#: OMO-IXFH10N80P

 MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
MGJ2D052005SC

Mfr.#: MGJ2D052005SC

OMO.#: OMO-MGJ2D052005SC-MURATA-POWER-SOLUTIONS

 Isolated DC/DC Converters 2W 5Vin 20/-5Vout 80/40mA SIP
IXFH20N85X

Mfr.#: IXFH20N85X

OMO.#: OMO-IXFH20N85X-IXYS-CORPORATION

 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
IXFH10N80P

Mfr.#: IXFH10N80P

OMO.#: OMO-IXFH10N80P-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
Қол жетімділік
Қор:
20
Тапсырыс бойынша:
2003
Саны енгізіңіз:
IXFJ20N85X ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
10,72 $
10,72 $
10
9,65 $
96,50 $
25
8,03 $
200,75 $
50
7,46 $
373,00 $
100
7,29 $
729,00 $
250
6,66 $
1 665,00 $
500
6,07 $
3 035,00 $
1000
5,79 $
5 790,00 $
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
More Newest Products
Top