SIHFB20N50K-E3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

210 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

110 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

280 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Биіктігі:

15.49 mm

Ұзындығы:

10.41 mm

Серия:

SIHF

Ені:

4.7 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

MOSFETs

Tags

SIHFB, SIHF, SIH