IPL65R1K0C6SATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

ThinPAK-56-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

15 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

34.7 W

Конфигурация:

Бойдақ

Сауда атауы:

CoolMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

6 mm

Серия:

CoolMOS C6

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

13.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5.2 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

41 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.6 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPL65R1K0C6S SP001163084

Бірлік салмағы:

0.002677 oz

Tags

IPL65R1K0, IPL65R1K, IPL65R1, IPL65R, IPL65, IPL6, IPL