2SD1664T100P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

Y

Орнату стилі:

SMD/SMT

Транзистордың полярлығы:

NPN

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

32 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

40 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

5 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

1 A

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

150 MHz

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

82 at 100 mA, 3 V

Биіктігі:

1.5 mm

Ұзындығы:

4.5 mm

Қаптама:

Ролик

Ені:

2.5 mm

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Үздіксіз коллекторлық ток:

1 A

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

82

Pd - қуаттың шығыны:

2000 mW

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

Транзисторлар

Бірлік салмағы:

0.004603 oz

Tags

2SD1664T100P, 2SD1664T100, 2SD1664T1, 2SD1664T, 2SD1664, 2SD166, 2SD16, 2SD1, 2SD