IXTQ32P20T

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-3P-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

32 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

130 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

15 V

Qg - қақпа заряды:

185 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

57 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

32 ns

Tags

IXTQ3, IXTQ, IXT