STR2P3LLH6

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

56 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

350 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

STripFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.4 mm

Ұзындығы:

3.04 mm

Серия:

STR2P3LLH6

Транзистор түрі:

1 P-Channel Power MOSFET

Ені:

1.75 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

3.4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

19.2 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.4 ns

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

STR2, STR