OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3
Mfr. #:
SIHD6N80E-GE3
Өндіруші:
Vishay / Siliconix
Сипаттама:
MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SIHD6N80E-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIHD6N80E-GE3 DatasheetSIHD6N80E-GE3 Datasheet (P4-P6)SIHD6N80E-GE3 Datasheet (P7)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SIHD6N80E-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Вишай
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
TO-252-3
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
800 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
5.4 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
820 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
4 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
30 V
Qg - қақпа заряды:
44 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
78 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Қаптама:
Ролик
Серия:
E
Бренд:
Вишай / Силиконикс
Форвард өткізгіштік - Мин:
2.5 S
Күз уақыты:
18 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
9 ns
Зауыттық буманың саны:
3000
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
27 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
13 ns
Tags
SIHD6, SIHD, SIH
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Japan
Transistor MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin TO-252
***ical
Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
***ment14 APAC
MOSFET, N-CH, 800V, 5.4A, 150DEG C, 78W
***ark
MOSFET, N-CH, 800V, 5.4A, 150DEG C, 78W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.4A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):0.82ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power RoHS Compliant: Yes
Industrial Power Solution
Vishay offers one of the industry’s broadest selections of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 
E Series High Voltage MOSFETs
Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific ON-Resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low ON-resistance (RDS(on)), low input capacitance (Ciss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Qg). The E series MOSFETs are also available in 850VDS high voltage variants with 3A drain current (ID), low RDS(ON) of 0.82Ω, and low gate charge (Qg). These high-performance MOSFETs come in different packages like TO-247AC, TO-220AB, TO-220 FULLPAK, TO-247AC, D2PAK (TO-263), IPAK (TO-251), DPAK (TO-252), and IPAK (TO-251). Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SIHD6N80E-GE3
DISTI # V99:2348_21764828		Vishay IntertechnologiesSIHD6N80E-GE32940
  • 3000:$0.9135
  • 1000:$0.9791
  • 500:$1.1955
  • 100:$1.3472
  • 10:$1.7678
  • 1:$2.3215
SIHD6N80E-GE3
DISTI # SIHD6N80E-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CHAN 800V TO-252
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk		2973In Stock
  • 5000:$0.9378
  • 2500:$0.9738
  • 1000:$1.0460
  • 500:$1.2624
  • 100:$1.5365
  • 10:$1.9120
  • 1:$2.1300
SIHD6N80E-GE3
DISTI # 29435235		Vishay IntertechnologiesSIHD6N80E-GE32940
  • 3000:$0.9135
  • 1000:$0.9791
  • 500:$1.1955
  • 100:$1.3472
  • 10:$1.7678
  • 8:$2.3215
SIHD6N80E-GE3
DISTI # SIHD6N80E-GE3		Vishay IntertechnologiesE Series Power MOSFET Single N-Channel 800V VDS ±30V 5.4A ID Thin Lead 3-Pin DPAK - Tape and Reel (Alt: SIHD6N80E-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 30000:$0.8799
  • 18000:$0.9049
  • 12000:$0.9299
  • 6000:$0.9699
  • 3000:$0.9999
SIHD6N80E-GE3
DISTI # 59AC7384		Vishay IntertechnologiesN-CHANNEL 800V0
  • 2500:$0.9000
  • 1000:$1.0100
  • 500:$1.1600
  • 100:$1.2900
  • 50:$1.4500
  • 25:$1.5800
  • 10:$1.7100
  • 1:$2.0900
SIHD6N80E-GE3
DISTI # 78-SIHD6N80E-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
RoHS: Compliant		2706
  • 1:$2.1400
  • 10:$1.7800
  • 100:$1.3800
  • 500:$1.2100
  • 1000:$0.9970
SIHD6N80E-GE3
DISTI # 2932925		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 800V, 5.4A, 150DEG C, 78W
RoHS: Compliant		0
  • 1000:$1.5500
  • 500:$1.6400
  • 250:$1.9300
  • 100:$2.3400
  • 10:$2.9900
  • 1:$3.6200
SIHD6N80E-GE3
DISTI # 2932925		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N-CH, 800V, 5.4A, 150DEG C, 78W0
  • 500:£0.8870
  • 250:£0.9470
  • 100:£1.0100
  • 10:£1.3200
  • 1:£1.7800
Сурет Бөлім № Сипаттама
NE555D

Mfr.#: NE555D

OMO.#: OMO-NE555D

 Timers & Support Products SINGLE PRECISION TIMER
DN2625K4-G

Mfr.#: DN2625K4-G

OMO.#: OMO-DN2625K4-G

 MOSFET 250V 3.3A
STD18N55M5

Mfr.#: STD18N55M5

OMO.#: OMO-STD18N55M5

 MOSFET N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS
STD8N80K5

Mfr.#: STD8N80K5

OMO.#: OMO-STD8N80K5

 MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5
74AHCT1G08DBVTE4

Mfr.#: 74AHCT1G08DBVTE4

OMO.#: OMO-74AHCT1G08DBVTE4

 Logic Gates Single 2-Input Positive-AND Gate
ATSAMV70N19B-AABT

Mfr.#: ATSAMV70N19B-AABT

OMO.#: OMO-ATSAMV70N19B-AABT

 ARM Microcontrollers - MCU 300Mhz, 512KB Flash, 256KB SRAM, LQFP100, T&R
FCD360N65S3R0

Mfr.#: FCD360N65S3R0

OMO.#: OMO-FCD360N65S3R0

 MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
DN2625K4-G

Mfr.#: DN2625K4-G

OMO.#: OMO-DN2625K4-G-MICROCHIP-TECHNOLOGY

 MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
ATSAMV70N19B-AABT

Mfr.#: ATSAMV70N19B-AABT

OMO.#: OMO-ATSAMV70N19B-AABT-MICROCHIP-TECHNOLOGY

 IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100LQFP
STD18N55M5

Mfr.#: STD18N55M5

OMO.#: OMO-STD18N55M5-STMICROELECTRONICS

 Darlington Transistors MOSFET N-Ch 550V 0.18 13A Mdmesh V Power MOS
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
1985
Саны енгізіңіз:
SIHD6N80E-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
2,14 $
2,14 $
10
1,78 $
17,80 $
100
1,38 $
138,00 $
500
1,21 $
605,00 $
1000
1,00 $
997,00 $
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
More Newest Products
Top