IRFHS8342TR2PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PQFN-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

16 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

8.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.1 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

2 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

2 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

18 S

Күз уақыты:

5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

400

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

5.2 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001575842

Бірлік салмағы:

0.017637 oz

Tags

IRFHS83, IRFHS8, IRFHS, IRFH, IRF