NTTD1P02R2G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

Micro-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.45 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

160 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.95 mm

Ұзындығы:

3 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Түрі:

MOSFET

Ені:

3 mm

Бренд:

ON Жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

2.5 S

Күз уақыты:

20 ns, 30 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

20 ns, 30 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

30 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns

Tags

NTTD1, NTTD, NTT