Jan2N2060L/TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-78-6

Транзистордың полярлығы:

NPN

Конфигурация:

Қосарлы

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

60 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

100 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

7 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

0.3 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

500 mA

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Тұрақты ток күші hFE макс:

150 at 10 mA, 5 V

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

25 at 10 uA, 5 V

Pd - қуаттың шығыны:

2.12 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

Jan2N206, Jan2N20, Jan2N2, Jan2N, Jan2, JAN