IPW65R080CFDFKSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

43.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

72 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

167 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

391 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

CoolMOS

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

21.1 mm

Ұзындығы:

16.13 mm

Серия:

CoolMOS CFD2

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5.21 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

18 ns

Зауыттық буманың саны:

240

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

85 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPW65R080CFD IPW65R8CFDXK SP000745036

Бірлік салмағы:

1.340411 oz

Tags

IPW65R08, IPW65R0, IPW65R, IPW65, IPW6, IPW