STP4N150

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1.5 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5 Ohms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

160 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

PowerMESH

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

9.15 mm

Ұзындығы:

10.4 mm

Серия:

STP4N150

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

4.6 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Форвард өткізгіштік - Мин:

3.5 S

Күз уақыты:

45 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

30 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

45 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Бірлік салмағы:

0.011640 oz

Tags

STP4N15, STP4N1, STP4N, STP4, STP