IXFR12N100Q

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.1 Ohms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

250 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HyperFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

21.34 mm

Ұзындығы:

16.13 mm

Серия:

IXFR12N100

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5.21 mm

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

15 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

23 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

40 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Бірлік салмағы:

0.056438 oz

Tags

IXFR12N10, IXFR12N, IXFR12, IXFR1, IXFR, IXF