STS3C2F100

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOIC-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

145 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.65 mm

Ұзындығы:

5 mm

Серия:

STS3C2F100

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ені:

4 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

20 ns, 7.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

25 ns, 20 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

32 ns, 33 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns, 14 ns

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

STS3, STS