BSS192PH6327XTSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-89-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

250 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

190 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

20 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

- 200 pC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.5 mm

Ұзындығы:

4.5 mm

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

2.5 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

0.38 S

Күз уақыты:

50 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5.2 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

72 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.7 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSS192P H6327 SP001195030

Tags

BSS192PH, BSS192P, BSS19, BSS1, BSS