IRFHM830DTR2PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PQFN-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.8 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

13 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.8 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.05 mm

Ұзындығы:

3.3 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.3 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

69 S

Күз уақыты:

6.7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

20 ns

Зауыттық буманың саны:

400

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

9.1 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9.8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001551956

Бірлік салмағы:

0.017637 oz

Tags

IRFHM830DT, IRFHM830D, IRFHM830, IRFHM83, IRFHM8, IRFHM, IRFH, IRF