GA10SICP12-247

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

GeneSiC жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

SiC

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1.2 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

25 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

100 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

55 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

170 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Серия:

GA10SICP12

Бренд:

GeneSiC жартылай өткізгіш

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Бірлік салмағы:

1.340411 oz

Tags

GA10S, GA10, GA1