IRFH5025TR2PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PQFN-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

250 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

100 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

37 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

3.6 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.83 mm

Ұзындығы:

6 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

13 S

Күз уақыты:

6.1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6.3 ns

Зауыттық буманың саны:

400

Ішкі санат:

MOSFETs

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001563928

Tags

IRFH502, IRFH50, IRFH5, IRFH, IRF