BSL215CH6327XTSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSOP-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

140 mOhms, 150 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

700 mV, 1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

4.5 V

Qg - қақпа заряды:

0.73 nC, - 3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

3 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ені:

1.5 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

1.4 ns, 14 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

7.6 ns, 9.7 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

6.8 ns, 14.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.1 ns, 6.7 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSL215C H6327 SP001101000

Tags

BSL215CH, BSL215C, BSL215, BSL21, BSL2, BSL