IRFS52N15DPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

150 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

60 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

32 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

60 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

320 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Smps MOSFET

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

25 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

47 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

28 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001557412

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IRFS52N, IRFS52, IRFS5, IRFS, IRF