TK31V60W5,LVQ

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Toshiba

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DFN8x8-5

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

30.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

87 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

105 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

240 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

DTMOSIV

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.85 mm

Ұзындығы:

8 mm

Серия:

TK31

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

8 mm

Бренд:

Toshiba

Күз уақыты:

8.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

80 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

165 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

120 ns

Tags

TK31V60W5, TK31V60W, TK31V, TK31, TK3