OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

A3T19H455W23SR6

A3T19H455W23SR6
Mfr. #:
A3T19H455W23SR6
Өндіруші:
NXP Semiconductors
Сипаттама:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
A3T19H455W23SR6 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
A3T19H455W23SR6 DatasheetA3T19H455W23SR6 Datasheet (P4-P6)A3T19H455W23SR6 Datasheet (P7-P9)A3T19H455W23SR6 Datasheet (P10-P12)A3T19H455W23SR6 Datasheet (P13-P15)A3T19H455W23SR6 Datasheet (P16)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
A3T19H455W23SR6 Көбірек ақпарат A3T19H455W23SR6 Product Details
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
NXP
Өнім санаты:
RF MOSFET транзисторлары
RoHS:
Y
Транзистордың полярлығы:
Қос N-арна
Технология:
Си
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
3.6 A
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
- 500 mV, 65 V
Табыс:
16.4 dB
Шығу қуаты:
81 W
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 40 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
ACP-1230S-4L2S
Қаптама:
Ролик
Жұмыс жиілігі:
1930 MHz to 1990 MHz
Түрі:
RF қуаты MOSFET
Бренд:
NXP жартылай өткізгіштері
Арналар саны:
2 Channel
Өнім түрі:
RF MOSFET транзисторлары
Зауыттық буманың саны:
150
Ішкі санат:
MOSFETs
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
- 6 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
1.4 V
Бөлім # Бүркеншік аттар:
935363503128
Tags
A3T1, A3T
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Airfast® Third-Generation Power Amplifiers
NXP Semiconductors Airfast® Third-Generation Power Amplifiers provide the best in class performance for the critical parameters that include efficiency, gain, RF power, and signal bandwidth. The Airfast third-generation technology reduces the footprint required to deliver specific RF output power. These amplifiers include 28V and 48V LDMOS transistors. The Airfast third-generation amplifiers are designed for the asymmetrical Doherty amplifier architectures. These amplifiers feature high efficiency, reduced solution size, thermal performance, and operate at wideband frequency. The Airfast third-generation amplifiers support all global cellular standards including LTE and NR for 5G. These amplifiers reduce both the size of cellular base stations and the installation costs.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
A3T19H455W23SR6
DISTI # A3T19H455W23SR6-ND		NXP SemiconductorsAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RoHS: Compliant
Min Qty: 150
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 150:$119.7000
A3T19H455W23SR6
DISTI # A3T19H455W23SR6		Avnet, Inc.Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V - Tape and Reel (Alt: A3T19H455W23SR6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 150
Container: Reel		Americas - 0
    A3T19H455W23SR6
    DISTI # 51AC1917    		NXP SemiconductorsAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1930-1990 MHZ, 81 W AVG., 30 V REEL0
    • 100:$112.5000
    • 50:$119.7000
    • 25:$121.5000
    • 10:$123.3000
    • 5:$126.9000
    • 1:$130.5000
    A3T19H455W23SR6
    DISTI # 771-A3T19H455W23SR6    		NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V
    RoHS: Compliant    		0
    • 150:$111.3500
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    A3T19H455W23SR6

    Mfr.#: A3T19H455W23SR6

    OMO.#: OMO-A3T19H455W23SR6

    		 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V
    A3T19H455W23SR6

    Mfr.#: A3T19H455W23SR6

    OMO.#: OMO-A3T19H455W23SR6-NXP-SEMICONDUCTORS

    		 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    3000
    Саны енгізіңіз:
    A3T19H455W23SR6 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    -ден бастаңыз
    Top