SI3442BDV-T1-GE3

SI3442BDV-T1-GE3
Mfr. #:
SI3442BDV-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay / Siliconix
Сипаттама:
MOSFET 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI3442BDV-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI3442BDV-T1-GE3 DatasheetSI3442BDV-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SI3442BDV-T1-GE3 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SI3442BDV-T1-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Вишай
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
TSOP-6
Сауда атауы:
TrenchFET
Қаптама:
Ролик
Серия:
SI3
Бренд:
Вишай / Силиконикс
Өнім түрі:
MOSFET
Зауыттық буманың саны:
3000
Ішкі санат:
MOSFETs
Бөлім # Бүркеншік аттар:
SI3442BDV-GE3
Бірлік салмағы:
0.000705 oz
Tags
SI3442BDV-T, SI3442B, SI3442, SI344, SI34, SI3
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
***ark
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:4.2A; Drain Source Voltage, Vds:20V; On Resistance, Rds(on):0.057ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET, N CH,2.5V,4.2A,DIODE,TSOP6; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:1.67W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:4.2A; Power Dissipation Pd:1.67W; Voltage Vgs Max:12V
Si3 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si3 MOSFETs are a TrenchFET® power MOSFETs operate in an enhancement mode. These Si3 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel with ultra-low RDS(ON) for high-efficiency. These MOSFETs are also available in different VGS and VDS ranges. The Si3 MOSFETs incorporate Si technology and operate at a temperature ranging from -55ºC to 150ºC. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI3442BDV-T1-GE3
DISTI # V36:1790_09216639
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
RoHS: Compliant
0
  • 3000000:$0.2045
  • 1500000:$0.2047
  • 300000:$0.2133
  • 30000:$0.2263
  • 3000:$0.2284
SI3442BDV-T1-GE3
DISTI # SI3442BDV-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.2284
SI3442BDV-T1-GE3
DISTI # SI3442BDV-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: SI3442BDV-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 30000:$0.1919
  • 18000:$0.1969
  • 12000:$0.2029
  • 6000:$0.2109
  • 3000:$0.2179
SI3442BDV-T1-GE3
DISTI # SI3442BDV-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R (Alt: SI3442BDV-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel
Europe - 0
  • 30000:€0.1609
  • 18000:€0.1729
  • 12000:€0.1879
  • 6000:€0.2179
  • 3000:€0.3199
SI3442BDV-T1-GE3
DISTI # 781-SI3442BDV-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant
0
  • 1:$0.6100
  • 10:$0.4900
  • 100:$0.3800
  • 500:$0.3100
  • 1000:$0.2500
  • 3000:$0.2300
  • 6000:$0.2100
  • 9000:$0.2000
SI3442BDV-T1-GE3Vishay Intertechnologies 2173
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    SI3442BDV-T1-E3

    Mfr.#: SI3442BDV-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI3442BDV-T1-E3

    MOSFET 20V 3A
    SI3442BDV-T1-GE3

    Mfr.#: SI3442BDV-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI3442BDV-T1-GE3

    MOSFET 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V
    SI3442BDV

    Mfr.#: SI3442BDV

    OMO.#: OMO-SI3442BDV-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    SI3442BDV-T1

    Mfr.#: SI3442BDV-T1

    OMO.#: OMO-SI3442BDV-T1-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    SI3442BDV-T1-E3

    Mfr.#: SI3442BDV-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI3442BDV-T1-E3-VISHAY

    MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
    SI3442BDV-T1-GE3

    Mfr.#: SI3442BDV-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI3442BDV-T1-GE3-VISHAY

    MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP
    SI3442BDV-T1TE3

    Mfr.#: SI3442BDV-T1TE3

    OMO.#: OMO-SI3442BDV-T1TE3-1190

    Жаңа және түпнұсқа
    SI3442BDVT1E3

    Mfr.#: SI3442BDVT1E3

    OMO.#: OMO-SI3442BDVT1E3-1190

    Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    3500
    Саны енгізіңіз:
    SI3442BDV-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    0,61 $
    0,61 $
    10
    0,49 $
    4,90 $
    100
    0,38 $
    38,00 $
    500
    0,31 $
    155,00 $
    1000
    0,25 $
    250,00 $
    2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
    -ден бастаңыз
    Ең жаңа өнімдер
    Top