SIZ300DT-T1-GE3

SIZ300DT-T1-GE3
Mfr. #:
SIZ300DT-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SIZ300DT-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SIZ300DT-T1-GE3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Вишай Силиконикс
Өнім санаты
FETs - массивтер
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
SIZ300DT-GE3
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
8-PowerWDFN
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
2 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
8-PowerPairR
Конфигурация
Қосарлы
FET түрі
2 N-Channel (Half Bridge)
Қуат – Макс
16.7W, 31W
Транзистор түрі
2 N-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
30V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
400pF @ 15V
FET мүмкіндігі
Логикалық деңгей қақпасы
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
11A, 28A
Rds-On-Max-Id-Vgs
24 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.4V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
12nC @ 10V
Pd-қуат-диссипация
3.7 W 4.2 W
Күз уақыты
10 ns 40 ns
Көтерілу уақыты
45 ns 80 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
20 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
9.8 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
30 V
Vgs-th-Gate-Көзі-Табалдырық-кернеу
2.4 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
20 mOhms 9 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Qg-Gate-Заряд
7.4 nC 14.2 nC
Форвард-өткізгіштік-мин
30 S
Tags
SIZ30, SiZ3, SiZ
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR T/R
***nell
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 11A, POWERPAIR-8
***i-Key
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
***
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S)
***ark
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 11A, POWERPAIR-8; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:16.7W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:8; Continuous Drain Current Id, N Channel:11A;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 11A, POWERPAIR-8; MOSFET, DUAL N CH, 30V, 11A, POWERPAIR-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.02ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:16.7W
Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs
Vishay Siliconix Dual N-Channl TrenchFET® Power MOSFETs offers co-packaged MOSFETs to reduce space and increase performance over two discretes. These Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs combines two MOSFETs into a compact package. By combining the devices into one package the Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs simplify layout, reduces parasitic inductance from PCB traces, increases efficiency and reduces ringing. Typical applications include system power, POL, and synchronous buck converters in notebooks.Learn More
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SIZ300DT-T1-GE3
DISTI # V72:2272_09216119
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
RoHS: Compliant
1916
  • 1000:$0.4758
  • 500:$0.5568
  • 250:$0.6273
  • 100:$0.6290
  • 25:$0.7704
  • 10:$0.7734
  • 1:$0.8968
SIZ300DT-T1-GE3
DISTI # SIZ300DT-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
284In Stock
  • 1000:$0.5506
  • 500:$0.6975
  • 100:$0.8994
  • 10:$1.1380
  • 1:$1.2800
SIZ300DT-T1-GE3
DISTI # SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
284In Stock
  • 1000:$0.5506
  • 500:$0.6975
  • 100:$0.8994
  • 10:$1.1380
  • 1:$1.2800
SIZ300DT-T1-GE3
DISTI # SIZ300DT-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.4990
SIZ300DT-T1-GE3
DISTI # 27088796
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
RoHS: Compliant
1916
  • 1000:$0.4758
  • 500:$0.5568
  • 250:$0.6273
  • 100:$0.6290
  • 25:$0.7704
  • 16:$0.7734
SIZ300DT-T1-GE3
DISTI # SIZ300DT-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.8A/14.9A 8-Pin PowerPAIR T/R - Tape and Reel (Alt: SIZ300DT-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 3000:$0.4709
  • 6000:$0.4569
  • 12000:$0.4389
  • 18000:$0.4259
  • 30000:$0.4149
SIZ300DT-T1-GE3
DISTI # 91T5908
Vishay IntertechnologiesMOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 11A, POWERPAIR-8,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:11A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.02ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:1V RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.1400
  • 25:$0.9340
  • 50:$0.8260
  • 100:$0.7170
  • 250:$0.6670
  • 500:$0.6160
  • 1000:$0.5410
SIZ300DT-T1-GE3
DISTI # 91T5909
Vishay IntertechnologiesMOSFET, DUAL N CH, 30V, 11A, POWERPAIR-8, FULL REEL,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:11A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.02ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.5580
  • 1000:$0.5350
  • 2000:$0.4860
  • 4000:$0.4380
  • 6000:$0.4220
  • 10000:$0.4120
SIZ300DT-T1-GE3
DISTI # 781-SIZ300DT-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 11A/28A 16.7/31W 24mohm/11mohm @ 10V
RoHS: Compliant
2946
  • 1:$1.1400
  • 10:$0.9340
  • 100:$0.7170
  • 500:$0.6160
  • 1000:$0.5410
  • 3000:$0.5400
SIZ300DT-T1-GE3Vishay Siliconix 1286
    SIZ300DT-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 11A/28A 16.7/31W 24mohm/11mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    Americas -
      SIZ300DT-T1-GE3
      DISTI # C1S803603830999
      Vishay IntertechnologiesMOSFETs1916
      • 250:$0.6273
      • 100:$0.6290
      • 25:$0.7704
      • 10:$0.7734
      Сурет Бөлім № Сипаттама
      SIZ300DT-T1-GE3

      Mfr.#: SIZ300DT-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ300DT-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIZ342DT-T1-GE3
      SIZ300DT (Z300)

      Mfr.#: SIZ300DT (Z300)

      OMO.#: OMO-SIZ300DT-Z300--1190

      Жаңа және түпнұсқа
      SIZ300DT-T1-GE3

      Mfr.#: SIZ300DT-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ300DT-T1-GE3-VISHAY

      MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
      SIZ300DT-TI-GE3

      Mfr.#: SIZ300DT-TI-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ300DT-TI-GE3-1190

      Жаңа және түпнұсқа
      Қол жетімділік
      Қор:
      Available
      Тапсырыс бойынша:
      2500
      Саны енгізіңіз:
      SIZ300DT-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
      Анықтамалық баға (USD)
      Саны
      Тауар өлшемінің бағасы
      Қосымша. Бағасы
      1
      0,58 $
      0,58 $
      10
      0,55 $
      5,52 $
      100
      0,52 $
      52,25 $
      500
      0,49 $
      246,70 $
      1000
      0,46 $
      464,40 $
      2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
      -ден бастаңыз
      Top